MEMORIAS

LA MEMORIA EEPROM 2816

El circuito integrado EEPROM 2816 es una memoria reprogramable y borrable que contiene 2048 localidades de memoria con 8 bits cada una, (2K X 8) y opera con una sola fuente de alimentación de + 5 Volts, con tiempos similares a los de una RAM estática en modo de lectura, tiene dos modos de programación una de +5 Volts y otra de alto voltaje. El modo de programación de +5 Volts se inicia con un pulso de escritura con una transición alto/bajo de nivel TTL con una duración de 200 nseg, el circuito automáticamente borra el byte seleccionado antes de escribir otro dato nuevo, se completa un ciclo de borrado/escritura en un tiempo máximo de 10 mseg, el tiempo de acceso a lectura es de 250 nseg, todas sus salidas son compatibles con la tecnología TTL.

CARACTERÍSTICAS DE LA 2816

· Organización de la memoria 2048 X8
· Tipo de funcionamiento; chip estático
· Tiempos de acceso a lectura; 250 nseg.
· Capacidad de corrección para un solo bit
· Tiempo de escritura max, 10 mseg.
· Compatible con la arquitectura de microprocesadores
· Potencia de disipación
a).- Estado activo; 610 mW
b).- Estado inactivo: 295 mW














La descripción de las terminales es la siguiente:

• A0 - A10 Lineas de direcciones
• E/S0 E/S7 Entrada y salida de datos
• (CE)' Habilitador del chip
• (OE)' Habilitador de las salidas
• Vpp Voltaje de programación
• Vcc + 5 Volts
• Vss 0.0 Volts tierra.

OPERACIÓN DE EPROM 2816

Este dispositivo contiene seis modos de operación, según se muestra en la siguiente figura, los modos de programación están diseñados para proporcionar compatibilidad máxima con los microprocesadores y para obtener una consistencia optima en el diseño del circuito impreso, el chip EEPROM 2816 es una memoria no volátil, y contiene una densidad apropiada para una aplicación de tipo industrial, con esto se logra optimizar el costo/eficiencia de manera funcional, todas las tensiones que usa son compatibles, con la tecnología TTL con la excepción del modo de borrado total de la memoria, en este modo el voltaje se debe subir arriba de +9 Volts, en las otras formas se debe sostener a + 5 Volts durante la escritura y la lectura.

OPERACIÓN DE LECTURA

Un dato es leído de la memoria EEPROM 2816 mediante la aplicación de un nivel alto en Vpp, (voltaje de programación conectada a Vcc), un nivel bajo en (CE)' y un nivel bajo en (OE)', con estas condiciones se obtiene información de terminales E/S estarán en estado de alta impedancia siempre y cuando (OE)' y/o (CE)' están en un nivel alto.
La función de la terminal (CE)' es la de poder controlar la activación del chip, puede ser usado por un sistema con microprocesadores para la selección del dispositivo.
La terminal que habilita las salidas, o las pone en estado de alta impedancia, si se tiene en cuanta que las entradas son estables el tiempo de acceso es igual al tiempo de retardo de la terminal (CE)', los datos están disponibles después de un tiempo de retardo de la terminal (OE)'.

OPERACIÓN DE ESCRITURA
(modo de programación de + 5 Volts)

El ciclo de escritura es iniciado por la aplicación de un nivel bajo en Vpp, 200 nseg, mientras que (OE)' debe estar en estado alto y (CE)' en estado bajo, la dirección es doblemente almacenada a la caída y a la salida de Vpp, una vez realizado esto la arquitectura interna de la memoria borrara automáticamente el dato seleccionado y procederá a escribir el nuevo dato en un tiempo de l0 mseg, mientras tanto las terminales E/S o E/S; permanecerán en estado de alta impedancia durante un tiempo igual al de la operación del proceso de escritura.

La EEPROM 2816 se escribe y se borra eléctricamente utilizando un voltaje de +5 Volts para grabar y leer, la condición de grabado es "borrado antes de escribir", esta memoria es del tipo ROM reprogramable, en caso de que se desconecte el circuito de alimentación de la energía la información no se pierde, se puede usar el modo de "stanby" para que la información no se borre.

La 2816 se borra y se programa eléctricamente y no ópticamente como lo requieren normalmente las EPROMS, en estas, se borra la información con luz ultravioleta, el dispositivo EEPROM 2816 ofrece flexibilidad para borrar un solo bit o todo el chip si así se desea.

Para escribir en una localidad en particular, el bit existente se borra antes de escribir el nuevo bit, los niveles de las terminales E/S deben ser compatibles con la tecnología TTL en cuanto a sus equivalentes de niveles lógicos deseados como niveles de grabación, la programación debe durar mínimo 9 msg y un máximo de 15 mseg.



CIRCUITO INTEGRADO 74HCT573

Características distintivas

Las entrada y salidas en lados opuestos del paquete a lo largo de una interface fácilmente con microprocesadores.
Usados como entrada o salida de puertos para microprocesadores/microcomputadoras.
3 salidas de estados no invertidas para el bus de orientación aplicada.
Su funcionamiento es idéntico al 563 y 373.
Comúnmente 3 estados de salida habilitan la entrada.
Funcionalmente identicas a la 563 y 373.
Fuera de capacidad: bus driver
Categoría ICC: MSI

Descripción General

El 74HCT573 es de alta velocidad. De tecnología CMOS y sus pins son compatibles con los TTL.

Ellos son especificados completamente con JEDEC estándar Nº 7A. El 74HCT573 tiene 3 estados de salida para el bus de aplicación orientada. El latch habilitado (LE) de entrada y salida habilitan (OE) de entrada comúnmente a todos los latches.

El 573 consiste de 8 D-Type latches transparentes con 3 estados verdaderos de salida. Cuando LE està en un nivel ALTO los latches son transparentes, i.e. la salida del latch podrà ser cambiada de estado cada tiempo correspondiente al cambio D entrada.

Cuando LE es está en un nivel BAJO el latch almacena la información que pudo ser presentada en la entrada D a set-up el tiempo de transición de arriba debajo de LE.

Cuando OE está en nivel BAJO el contenido de los 8 latches será abalado a las salidas.

Cuando OE está en nivel ALTO la salida va a la alta impedancia del estado OFF. La operación del OE de entradazo puede afectar al estado del latch. El 573 es funcionalmente idéntico al 563 y 373, pero el 563 tiene las salidas invertidas y el 373 tiene diferente rango de ping.

Tabla de Referencias

GND = 0 V; Tamb =25 °C; tr =tf = 6 ns

Descripción de PINs

Símbolos lógicos

Tabla de Funcionamiento

Circuito Integrado 8156

Tiene las siguientes características distintivas:

256 palabras x 8 bits
Opera con una fuente de alimentación de + 5 Volts
Tiene una dirección de Latch interna
Un contador (timer) programable de 14 bits
Bus de datos y dirección multiplexada
2 puertos I/O programables de 8 bits
1 puerto I/O programable de 6 bits

DESCRIPCIÓN GENERAL

La 8156 es una RAM que se usa en sistema 8085AH MPU. la porción de RAM
es designado por 2k bits de celdas estáticas organizadas como 256 x 8. tienen un máximo acceso de tiempo de 400 nseg que permite el uso en 8085AH CPU. The 8156H-2 tiene un tiempo máximo de acceso de 330 nseg para el uso con el 8085AH. La porción de I/O consiste en 3 partes generales I/O puertos. Uno de los 3 puertos puede ser programado para pins de estado, los otros 2 puertos son programados para operar en el modo handshake.
Los 14 bits contadores (timers) programables estan incluidos solamente en un chip que provee una terminal de contador de pulso para el CPU dependiente del modo del timer.

Diagrama de bloques

DIAGRAMA DE CONEXIÓN

DESCRIPCIÓN DE LOS PINES



PROGRAMACIÓN DE INFORMACIÓN

REGISTRO DE ESTADO

El registro de estado consiste en 8 partes, una por cada bit. $ bits (0-3) definen el modo de los puertos. 2 bits (4-5) habilitan o deshabilitan el interruptor del Puerto C cuando este actúa como puerto de control, y los últimos 2 bits (6-7) son para el timer.

El contenido del registro C/S puede ser alterado en cualquier tiempo por el uso de la dirección I/O XXXXX000 durante la operación de escritura.


RANGO MÁXIMO ABSOLUTO

Temperatura de soporte -65°C a +150°C
Vcc con respecto a Vss -0.5 a +70V
Toda la señal de voltaje con respecto a Vss -0.5 V a +7.0 V
Poder de disipación 1.5 Watts


RANGO DE OPERACIÓN

División comercial
Temperatura 0 a +70°C
Soporte de voltaje (Vcc) 5 V  5%
Soporte de corriente (Icc) 180 mA

División industrial
Temperatura (Ta) -40 a +85ºC
Voltaje de soporte (Vcc) 5V ±10%

NOTA:

El presente trabajo lo realize bajo una fuente de información en el idioma inglés es por eso que vi la necesidad de traducir al español ya que no encontré ningun otra fuente de información de estos CI´s.